วิธีสร้างหัวต่อ PN
วิธีสร้างหัวต่อ PN มีดังนี้
- วิธีสารผสม
- วิธีแพร่ซึม
- วิธียิงอิออน
- วิธีเอพิแทกซี
วิธีสารผสม
ในกรณีทรานซิสเตอร์เจอเมเนียม จะนำเอาก้อนอินเดียมกลมเล็กๆ มาวางบนผลึกเจอเมเนียม แล้วหลอมเหลวให้เชื่อมติดกัน
เมื่อเจอเมเนียม และอินเดียมหลอมติดกัน และแข็งตัว อะตอมอินเดียมจะเข้าไปในเนื้อข่ายผลึกของเจอเมเนียมได้
วิธีแพร่ซึม
เมื่อนำเอาแว่นผลึกซิลิคอนไปวางในบรรยากาศ ที่มีไอโบรอน แล้วเพิ่มอุณหภูมิที่มีค่าสูง (ประมาณ ๑๐๐๐ ํC) อะตอมของธาตุโบรอนจะแพร่ซึมเข้าไปในผลึกซิลิคอน เนื้อสารส่วนที่ถูกแพร่ซึมนี้ จะนำไฟฟ้าแบบ P (โฮล)
ในกรณีที่แพร่ซึมด้วยอะตอมฟอสฟอรัส จะได้เนื้อสารที่นำไฟฟ้าแบบ N
วิธียิงอิออน นำสารเจือปนที่เป็นก๊าซ มาทำเป็นอิออนที่มีประจุไฟฟ้า แล้วผ่านเครื่องวิเคราะห์น้ำหนักธาตุ เพื่อแยกชนิดของธาตุที่ต้องการใช้ยิง เร่งความเร็วของอิออน ด้วยสนามไฟฟ้า แล้วยิงเข้าไปยังผลึกสารกึ่งตัวนำ วิธียิงอิออนนี้สามารถควบคุมตำแหน่ง ปริมาณความหนาแน่นของสารเจือปน และความลึกได้อย่างละเอียด
วิธีเอพิแทกซี นำแว่นผลึกชนิด N มาใส่ในเตาอุณหภูมิ สูงที่ ๑๒๐๐ °C เมื่อผ่านก๊าซผสมของ SiHCl
3 (ไทรคลอโรไซเลน) และ B
2H
6 (ไดโบเรน) ที่มีปริมาณที่เหมาะสม ก็จะเกิดเนื้อผลึกชนิด P พอกอยู่บนแว่นผลึกชนิด N ในกรณีที่จะปลูก ผลึกชนิด N บนแว่นผลึกชนิด P จะใช้ก๊าซ ผสมที่มีสารเจือปน เช่น AsH
3 (อาร์ซีน) PH
3 (ฟอสฟีน)
ทฤษฎีการทำงานของหัวต่อ PN ที่หัวต่อ PN เป็นรอยต่อระหว่างผลึกสาร กึ่งตัวนำ ส่วนที่เติมสารเจือปนชนิด P และ ส่วนที่เติมสารเจือปนชนิด N ณ บริเวณนี้จะเกิด ชั้นแบริเออร์ของพลังงานขึ้น